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一、 可控硅特點
一般用于TSC技術的低壓動態補償用的可控硅開關都采用大功率晶閘管反并聯封裝，其額定電流可達數百安培，反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性，因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發信號實現無觸點、無涌流投切，并且響應時間快，在半個波形周期內就能實現觸發導通。

由于可控硅屬半導體器件，通態電流比較大時，會有一定的發熱。

二、 復合開關特點
復合開關又叫機電一體化開關，是由交流接觸器和可控硅相并聯封裝而成。其導通利用可控硅實現無涌流投切，投切完成后再將交流接觸器主回路閉合，并退出可控硅。這一優點是運行時發熱相對于可控硅稍小一些。

復合開關因交流接觸器與可控硅的相互制約導致無法實現較大的通態電流，反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復雜，可控硅開斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用于農網臺區的小容量補償。

三、兩者應用的差異分析
首先從運行維護上考慮，通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風冷散熱模塊上，后期維護方便，如出現某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續使用。由于復合開關采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝，如內部任意部件出現故障，只能將整體更換，后期維護費用高。
從造價上考慮，假設某一套補償裝置容量360kvar，如采用復合開關，其單組最大容量為30kvar，也就是該套裝置需要分12個支路，而選用可控硅作為投切開關，其最大單組容量為90kvar，如按照30+60+90+90+90分組可在實現同樣補償效果的前提下減少7個支路，因此減小了一定的造價。

從安裝上考慮，在配電抗器的前提下，以1000*1000*2200的GCK柜體為例，采用復合開關安裝12支路，將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開關只需一面柜體即可。

希拓電氣 晶閘管（可控硅）投切開關

 ? 電壓過零觸發，電流過零斷開，無沖擊電流； 光電隔離，抗干擾能力強，響應時間＜15ms
 ? 專利散熱片，無軸流風機，主動散熱，運行無噪聲，組件免維護，使用壽命長；內置過溫（85℃）保護；
 ? 三色LED信號燈分別顯示開關通電、運行、故障狀態；兼容性強，可與全球各種規格無功補償控制器配套。